To obtain a P-type Si semiconductor, we need to dope pure Si with 

(1) Aluminium

(2) Phosphorous

(3) Oxygen

(4) Germanium

P-प्रकार Si अर्धचालक प्राप्त करने के लिए, हमें शुद्ध Si को किसके साथ अपमिश्रित करने की आवश्यकता होती है? 

(1) ऐलुमिनियम

(2) फॉस्फोरस

(3) ऑक्सीजन

(4) जर्मेनियम

Let ${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$ and ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ be the number of holes and conduction electrons respectively in a semiconductor. Then

(a) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$>${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ in an intrinsic semiconductor

(b) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$=${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ in an extrinsic semiconductor

(c) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$=${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ in an intrinsic semiconductor

(d) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$<${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$ in an intrinsic semiconductor

माना ${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$ और ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$एक अर्धचालक में क्रमशः कोटरों और चालन इलेक्ट्रॉनों की संख्या हैं। तब

(a) एक नैज अर्धचालक में ${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$>${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$

(b) एक बाह्य अर्धचालक में ${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$=${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ 

(c) एक नैज अर्धचालक में ${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$=${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ 

(d) एक आंतरिक अर्धचालक में ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$<${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$ 

The forbidden energy bandgap in conductors, semiconductors, and insulators are ${\mathrm{EG}}_1,{\mathrm{EG}}_{2<mspace\; width="1em"></mspace>}\mathrm{and}<mspace\; width="1em"></mspace>{\mathrm{EG}}_3$ and respectively. The relation among them is

(1) ${\mathrm{EG}}_1={\mathrm{EG}}_{2<mspace\; width="1em"></mspace>}={\mathrm{EG}}_3$

(2) ${\mathrm{EG}}_1<{\mathrm{EG}}_{2<mspace\; width="1em"></mspace>}<{\mathrm{EG}}_3$

(3) ${\mathrm{EG}}_1>{\mathrm{EG}}_{2<mspace\; width="1em"></mspace>}>{\mathrm{EG}}_3$ 

(4) ${\mathrm{EG}}_1<{\mathrm{EG}}_{2<mspace\; width="1em"></mspace>}>{\mathrm{EG}}_3$

चालक, अर्धचालक और अचालक में वर्जित ऊर्जा बैंड अंतराल क्रमशः ${\mathrm{EG}}_1,{\mathrm{EG}}_{2<mspace\; width="1em"></mspace>}\text{और}<mspace\; width="1em"></mspace>{\mathrm{EG}}_3$ हैं। उनके बीच संबंध है:

(1) ${\mathrm{EG}}_1={\mathrm{EG}}_{2<mspace\; width="1em"></mspace>}={\mathrm{EG}}_3$

(2) ${\mathrm{EG}}_1<{\mathrm{EG}}_{2<mspace\; width="1em"></mspace>}<{\mathrm{EG}}_3$

(3) ${\mathrm{EG}}_1>{\mathrm{EG}}_{2<mspace\; width="1em"></mspace>}>{\mathrm{EG}}_3$

(4) ${\mathrm{EG}}_1<{\mathrm{EG}}_{2<mspace\; width="1em"></mspace>}>{\mathrm{EG}}_3$

In extrinsic P and N-type, semiconductor materials, the ratio of the impurity atoms to the pure semiconductor atoms is about 
(a) 1                   (b) ${10}^{-1}$
(c) ${10}^{-4}$              (d) ${10}^{-7}$

P और N-प्रकार अपद्रव्यी अर्धचालक पदार्थों में, अपद्रव्य परमाणुओं से शुद्ध अर्धचालक परमाणुओं का अनुपात लगभग है:

(a) 1

(b) ${10}^{-1}$

(c) ${10}^{-4}$

(d) ${10}^{-7}$

A pure semiconductor behaves slightly as a conductor at

(a) Room temperature             (b) Low temperature
(c) High temperature               (d) Both (b) and (c)

किस ताप पर एक शुद्ध अर्धचालक, थोड़ा चालक के रूप में व्यवहार करता है?

(a) कक्ष ताप                (b) निम्न ताप 
(c) उच्च ताप                (d) (b) और (c) दोनों 

A P-type semiconductor is formed when- 
A. As impurity is mixed in Si
B. Al impurity is mixed in Si
C. B impurity is mixed in Ge
D. P impurity is mixed in Ge

(1) A and C

(2) A and D

(3) B and C

(4) B and D

P-प्रकार अर्धचालक कब निर्मित होता है?

A. जब As अपद्रव्य को Si में मिलाया जाता है. 
B. जब Al अपद्रव्य को Si में मिलाया जाता है।
C. जब B अपद्रव्य को Ge में मिलाया जाता है।
D. जब P अपद्रव्य को Ge में मिलाया जाता है।

(1) A और C

(2) A और D

(3) B और C

(4) B और D

The energy band gap is maximum in

(a) Metals               (b) Superconductors
(c) Insulators          (d) Semiconductors

ऊर्जा बैंड अंतराल किसमें अधिकतम होता है?

(a) धातु               (b) अतिचालक
(c) अचालक          (d) अर्धचालक

A Ge specimen is doped with Al. The concentration of acceptor atoms is $~{10}^{21}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{atoms}/{\mathrm{m}}^3$. Given that the intrinsic concentration of electron hole pairs is $~{10}^{19}/{\mathrm{m}}^3$, the concentration of electrons in the specimen is 
(a) ${10}^{17}/{\mathrm{m}}^3$         (b) ${10}^{15}/{\mathrm{m}}^3$
(c) ${10}^4/{\mathrm{m}}^3$           (d) ${10}^2/{\mathrm{m}}^3$

 एक Ge नमूने को Al के साथ अपमिश्रित किया जाता है। ग्राही परमाणुओं की सांद्रता$~{10}^{21}<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{atoms}/{\mathrm{m}}^3$ है। यह ज्ञात है कि इलेक्ट्रॉन कोटर युग्मों की आंतरिक सांद्रता$~{10}^{19}/{\mathrm{m}}^3$ है। नमूने में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता है:

(a) ${10}^{17}/{\mathrm{m}}^3$               (b)${10}^{15}/{\mathrm{m}}^3$
(c) ${10}^4/{\mathrm{m}}^3$                 (d)${10}^2/{\mathrm{m}}^3$

Which of the following statements is true for an N-type semi-conductor 

(a) The donor level lies closely below the bottom of the conduction band

(b) The donor level lies closely above the top of the valence band

(c) The donor level lies at the halfway mark of the forbidden energy gap

(d) None of above

निम्नलिखित में से कौन सा कथन N-प्रकार अर्धचालक के लिए सत्य है?

(a) दाता स्तर चालक बैंड के निचले हिस्से के नीचे स्थित होता है।

(b) दाता स्तर संयोजकता बैंड के शीर्ष के ऊपर स्थित होता है।

(c) दाता स्तर वर्जित ऊर्जा अंतराल के मध्य बिंदु पर स्थित होता है।

(d) उपरोक्त में से कोई नहीं

Different voltages are applied across a P-N junction and the currents are measured for each value. Which of the following graphs is obtained between voltage and current

1. 

2. 

3. 

4. 

P-N संधि पर भिन्न-भिन्न वोल्टेज लगाए जाते हैं और प्रत्येक मान के लिए धाराएं मापी जाती हैं। निम्नलिखित में से कौन सा ग्राफ वोल्टेज और धारा के बीच प्राप्त होता है: