If ne and vd be the number of electrons and drift velocity in a semiconductor. When the temperature is increased

(a) ne increases and vd decreases
(b) ne decreases and vd increases
(c) Both ne and vd increases
(d) Both ne and vd decreases

यदि एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की संख्या ne और अपवाह वेग vd है। जब तापमान बढ़ जाता है

(a) ne बढ़ती है और vd कम हो जाता है
(b) ne कम हो जाती है और vd बढ़ता है
(c) दोनों ne औऱ vd बढ़ते है
(d) दोनों ne और vdकम हो जाते है

Level 3: 35%-60%

To unlock all the explanations of this course, you need to be enrolled.

Hints

A full-wave rectifier circuit along with the input and output voltages is shown in the figure.

The contribution to the output voltage from diode – 2 is :

(a) A, C                       (b) B, D
(c) B, C                       (d) A, D

पूर्ण-तरंग दिष्टकारी परिपथ के अनुदिश निवेशी और निर्गत वोल्टेज को आरेख में दर्शाया गया है।

– 2 डायोड से निर्गत वोल्टेज के लिए अंश की गणना कीजिए:

(a) A, C                       (b) B, D
(c) B, C                       (d) A, D

 51%
Level 3: 35%-60%

To unlock all the explanations of this course, you need to be enrolled.

Hints

A silicon speciman is made into a P-type semi-conductor by dopping, on an average, one Indium atom per 5×107 silicon atoms. If the number density of atoms in the silicon specimen is 5×1028atoms/m3 then the number of acceptor atoms in silicon per cubic centimetre will be

(a) 2.5×1030atoms/cm3                   (b) 1.0×1013atoms/cm3
(c) 1.0×1015atoms/cm3                   (d) 2.5×1036atoms/cm3

एक सिलिकॉन प्रतिदर्श, P-प्रकार के अर्ध-चालक में 5×107 प्रति सिलिकॉन परमाणुओं में औसतन एक इंडियम परमाणु को अपमिश्रित करके बनाया जाता है। यदि सिलिकॉन नमूने में परमाणुओं का संख्या घनत्व 5×1028 परमाणु /m3 है तो सिलिकॉन प्रति घन सेंटीमीटर में ग्राही परमाणुओं की संख्या होगी:

(a) 2.5×1030 परमाणु /cm3       (b) 1.0×1013 परमाणु /cm3
(c) 1.0×1015परमाणु/cm3       (d) 2.5×1036परमाणु/cm3

Level 3: 35%-60%

To unlock all the explanations of this course, you need to be enrolled.

Hints

advertisementadvertisement

Ge and Si diodes conduct at 0.3 V and 0.7 V respectively. In the following figure if Ge diode connection are reversed, the valve of V0 changes by 

(a) 0.2 V                    (b) 0.4 V
(c) 0.6 V                    (d) 0.8 V

Ge और Si डायोड क्रमशः 0.3 V और 0.7 V पर चालन करते हैं। निम्न आरेख में यदि Ge डायोड संयोजन उत्क्रमित किया जाता है, V0 का मान किसके द्वारा परिवर्तित होता है?

(a) 0.2 V                    (b) 0.4 V
(c) 0.6 V                     (d) 0.8 V

Level 3: 35%-60%

To unlock all the explanations of this course, you need to be enrolled.

Hints

In the given figure, a diode D is connected to an external resistance R=100Ω and an e.m.f. of 3.5 V. If the barrier potential developed across the diode is 0.5 V, the current in the circuit will be:


1. 30 mA

2. 40 mA

3. 20 mA

4. 35 mA

दी गई आकृति में, एक डायोड D बाह्य प्रतिरोध R = 100Ω और 3.5 V के एक विद्युत वाहक बल स्त्रोत से जुड़ा है। यदि डायोड पर उत्पन्न विभव प्राचीर 0.5 V है, तो परिपथ में धारा होगी:


1. 30 mA

2. 40 mA

3. 20 mA

4. 35 mA

Level 3: 35%-60%
Please attempt this question first.
Hints

The transistors provide good power amplification when they are used in 

(a) Common collector configuration

(b) Common emitter configuration

(c) Common base configuration

(d) None of these

किस प्रकार से उपयोग किए जाने पर ट्रांजिस्टर अच्छा शक्ति प्रवर्धन प्रदान करते हैं?

(a) उभयनिष्ठ संग्राहक विन्यास

(b) उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास

(c) उभयनिष्ठ आधार विन्यास

(d) इनमें से कोई नहीं

 58%
Level 3: 35%-60%

To unlock all the explanations of this course, you need to be enrolled.

Hints

advertisementadvertisement

Which is the wrong statement in following sentences?

A device in which P and N-type semiconductors are used is more useful then a vacuum type because 

(a) Power is not necessary to heat the filament

(b) It is more stable

(c) Very less heat is produced in it

(d) Its efficiency is high due to a high voltage across the junction

निम्नलिखित वाक्यों में कौन सा गलत कथन है?

एक उपकरण जिसमें P और N-प्रकार अर्धचालकों का उपयोग किया जाता है वह निर्वात प्रकार की तुलना में अधिक उपयोगी है क्योंकि:

(a) तंतु को गर्म करने के लिए शक्ति आवश्यक नहीं है

(b) यह अधिक स्थायी है

(c) इसमें बहुत कम ऊष्मा उत्पन्न होती है

(d) संधि पर उच्च वोल्टेज के कारण इसकी दक्षता अधिक है

Level 3: 35%-60%

To unlock all the explanations of this course, you need to be enrolled.

Hints

The combination of ‘NAND’ gates shown here under (figure) are equivalent to

1. An OR gate and an AND gate respectively
2. An AND gate and a NOT gate respectively
3. An AND gate and an OR gate respectively
4. An OR gate and a NOT gate respectively.

यहाँ निम्नवत (आरेख) दर्शाए गए ‘NAND’ गेटों का संयोजन किसके समतुल्य है?

1. क्रमशः OR गेट और AND गेट
2. क्रमशः AND गेट और NOT गेट 
3. क्रमशः AND गेट और OR गेट
4. क्रमशः OR गेट और NOT गेट

Level 4: Below 35%

To unlock all the explanations of this course, you need to be enrolled.

Hints

A transistor is operated in common-emitter configuration at Vc=2volt such that a change in the base current from 100 μA to 200 μA produces a change in the collector current from 5 mA to 10 mA. The current gain is 

1. 75                                2. 100

3. 150                              4. 50

एक ट्रांजिस्टर Vc=2volt पर सामान्य-उत्सर्जक विन्यास में इस प्रकार संचालित होता है कि आधार धारा में 100  200 का परिवर्तन संग्राहक धारा में 5 mA से 10 mA तक परिवर्तन उत्पन्न करता है। धारा लाभ है:

1. 75                                 2. 100

3. 150                               4. 50

Level 4: Below 35%

To unlock all the explanations of this course, you need to be enrolled.

Hints

advertisementadvertisement

Which one of the following statement is false?

(a) Pure Si doped with trivalent impurities gives a p-type semiconductor 

(b) Majority carries in a n-type semiconductor are holes

(c) Minority carries in a p-type semiconductor are electrons

(d) The resistance of intrinsic semiconductor decreases with increase of temperature 

निम्नलिखित में से कौन सा कथन गलत है?

(a) त्रिसंयोजी अपद्रव्यों के साथ अपमिश्रित शुद्ध सिलिकॉन p-प्रकार का अर्धचालक बनाता है।

(b) n-प्रकार अर्धचालक में बहुसंख्यक वाहक कोटर होते हैं।

(c) p-प्रकार अर्धचालक में अल्पसंख्यक वाहक इलेक्ट्रॉन होते हैं।

(d) आंतरिक अर्धचालक का प्रतिरोध तापमान बढ़ने के साथ घटता जाता है।

 62%
Level 2: 60%+

To unlock all the explanations of this course, you need to be enrolled.

Hints