In a P-type semiconductor, germanium is doped with

(a) Boron                     (b) Gallium
(c) Aluminium              (d) All of these

P-प्रकार के अर्धचालक में, जर्मेनियम किसके के साथ अपमिश्रित किया जाता है?

(a) बोरॉन                    (b) गैलियम
(c) एल्युमिनियम             (d) ये सभी

To a germanium sample, traces of gallium are added as an impurity. The resultant sample would behave like

(a) A conductor
(b) A P-type semiconductor
(c) An N-type semiconductor
(d) An insulator

जर्मेनियम नमूने में, गैलियम के अवशेष को अपद्रव्य के रूप में मिलाया जाता है। परिणामी नमूना किसकी तरह व्यवहार करेगा?

(a) एक चालक
(b) एक P-प्रकार अर्धचालक
(c) N-प्रकार अर्धचालक
(d) एक अचालक

If ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ and ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$ are the number of electrons and holes in a semiconductor heavily doped with phosphorus, then

(a) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$>> ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$                (b)  ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$<< ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$  
(c) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$$\le$${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$                  (d) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ = ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$  

यदि ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ औऱ  ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$, भारी मात्रा में फॉस्फोरस से अपमिश्रित किए गए एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों और कोटरो की संख्या है, तब

(a) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$>> ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$                         (b) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$<< ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$  
(c) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$$\le$${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$                           (d) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ = ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$  

The process of adding impurities to the pure semiconductor is called 
(a) Drouping        (b) Drooping
(c) Doping           (d) None of these

शुद्ध अर्धचालक में अशुद्धियों को मिलाने की प्रक्रिया को कहा जाता है:
(a) ड्रूपिंग                           (b) ड्रोपिंग
(c) डोपिंग                           (d) इनमें से कोई नहीं

In the following common emitter configuration an NPN transistor with current gain $\mathrm{\beta }$ = 100 is used. The output voltage of the amplifier will be 

(a) 10 mV
(b) 0.1 V
(c) 1.0 V
(d) 10 V

निम्नलिखित उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में धारा लाभ $\mathrm{\beta }$= 100 के साथ एक NPN ट्रांजिस्टर का उपयोग किया जाता है। प्रवर्धक का निर्गत वोल्टेज होगा:

(a) 10 mV

(b) 0.1 V

(c) 1.0 V

(d) 10 V

Which of the following energy band diagram shows the N-type semiconductor

1. 

2. 

3. 

4. 

निम्नलिखित में से कौन सा ऊर्जा बैंड आरेख N-प्रकार अर्धचालक को दर्शाता है:

The given circuit has two ideal diodes connected as shown in the figure below. The current flowing through the resistance $R_1$ will be

(a) 2.5 A                     (b) 10.0 A

(c) 1.43 A                   (d) 3. 13 A

दिए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड को आरेख में दर्शाए गए अनुसार जोड़ा गया है। प्रतिरोध $R_1$ में प्रवाहित होने वाली धारा कितनी होगी?

(a) 2.5 A             (b) 10.0 A

(c) 1.43 A           (d) 3.13 A

The diode used in the circuit shown in the figure has a constant voltage drop of 0.5 V at all currents and a maximum power rating of 100 milliwatts. What should be the value of the resistor R, connected in series with the diode for obtaining maximum current 

(a) 1.5 $\mathrm{\Omega }$ 
(b) 5 $\mathrm{\Omega }$
(c) 6.67 $\mathrm{\Omega }$
(d) 200 $\mathrm{\Omega }$

चित्र में दर्शाए गए परिपथ में उपयोग किए गए डायोड में सभी धाराओं पर 0.5 V का नियत विभव पतन है और 100 मिलीवाट की अधिकतम शक्ति अनुमतांक है। अधिकतम विद्युत धारा प्राप्त करने के लिए डायोड के साथ श्रेणी में जुड़े प्रतिरोधक R का मान क्या होना चाहिए?

(a) 1.5 $\mathrm{\Omega }$ 
(b) 5 $\mathrm{\Omega }$
(c) 6.67 $\mathrm{\Omega }$
(d) 200 $\mathrm{\Omega }$

A sinusoidal voltage of peak value 200 volt is connected to a diode and resistor R in the circuit shown so that half wave rectification occurs. If the forward resistance of the diode is negligible compared to R the rms voltage (in volt) across R is approximately

(a) 200                            (b) 100
(c) $\frac{200}{\sqrt{2}}$                          (d) 280

दर्शाए गए परिपथ में 200 वोल्ट शिखर मान की एक ज्यावक्रीय वोल्टता एक डायोड और प्रतिरोध R से इस प्रकार जोड़ी जाती है कि अर्द्ध तरंग दिष्टीकरण घटित होता है। यदि R की तुलना में डायोड का अग्र प्रतिरोध नगण्य है तो rms वोल्टता (वोल्ट में) लगभग है:

(a) 200         (b) 100
(c) $\frac{200}{\sqrt{2}}$       (d) 280

In a P-type semiconductor

(a) Current is mainly carried by holes

(b) Current is mainly carried by electrons

(c) The material is always positively charged

(d) Doping is done by pentavalent material

एक P-प्रकार के अर्द्धचालक में

(a) धारा मुख्य रूप से कोटरों द्वारा प्रवाहित होती है

(b) धारा मुख्य रूप से इलेक्ट्रॉनों द्वारा प्रवाहित होती है

(c) पदार्थ हमेशा धनात्मक रूप से आवेशित होता है

(d) पंचसंयोजक पदार्थ द्वारा अपमिश्रण किया जाता है