At zero Kelvin a piece of germanium

(1) Becomes semiconductor

(2) Becomes good conductor

(3) Becomes bad conductor

(4) Has maximum conductivity

शून्य केल्विन पर जर्मेनियम का टुकड़ा:

(1) अर्धचालक बन जाता है।

(2) सुचालक बन जाता है।

(3) कुचालक बन जाता है।

(4) अधिकतम चालकता रखता है।

Which one is reverse-biased

कौन सा उत्क्रम अभिनत है?

In a semiconductor, the separation between the conduction band and valence band is of the order of

(1) 100 eV

(2) 10 eV

(3) 1 eV

(4) 0 eV

अर्धचालक में, चालन बैंड और संयोजकता बैंड के बीच की दूरी की कोटि क्या है?

(1) 100 eV

(2) 10 eV

(3) 1 eV

(4) 0 eV

A semiconductor is known to have an electron concentration of $8\times {10}^{13}$ cm^-3 and hole concentration of $5\times {10}^2$ cm^-3. The semiconductor is 

1.  N-type

2.  P-type

3.  intrinsic

4.  insulator

किसी अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन सांद्रता $8<mspace\; width="1em"></mspace>\times <mspace\; width="1em"></mspace>{10}^{13<mspace\; width="1em"></mspace>}c{m}^{-3<mspace\; width="1em"></mspace>}$ है और कोटर सांद्रता $5<mspace\; width="1em"></mspace>\times <mspace\; width="1em"></mspace>{10}^{12}<mspace\; width="1em"></mspace>c{m}^{-3}$ है। अर्धचालक किस प्रकार का है?

1. N-प्रकार

2. P-प्रकार

3. नैज

4. अचालक

The current through an ideal PN-junction shown in the following circuit diagram will be

(a) Zero
(b) 1 mA
(c) 10 mA
(d) 30 mA

निम्नलिखित परिपथ आरेख में दर्शाए गए आदर्श PN-सन्धि के माध्यम में कितनी धारा होगी?

(a) शून्य
(b) 1 mA
(c) 10 mA
(d) 30 mA

If a small amount of antimony is added to germanium crystal

(a) the antimony becomes an acceptor atom

(b) there will be more free electrons than holes in the semiconductor

(c) its resistance is increased

(d) it becomes a p-type semiconductor

यदि जर्मेनियम क्रिस्टल में थोड़ी मात्रा में ऐन्टिमनी मिलाया जाता है, तब:

(a) ऐन्टिमनी ग्राही परमाणु बन जाता है।

(b) अर्धचालक में कोटरों की तुलना में अधिक मुक्त इलेक्ट्रॉन होंगे।

(c) इसका प्रतिरोध बढ़ जाता है।

(d) यह p-प्रकार का अर्धचालक बन जाता है।

Barrier potential of a P-N junction diode does not depend on 

(a) Temperature                (b) Forward bias
(c) Doping density             (d) Diode design

P-N संधि डायोड का विभव प्राचीर किस पर निर्भर नहीं करता है?

(a) तापमान                    (b) अग्र अभिनत
(c) अपमिश्रण घनत्व          (d) डायोड संरचना

PN-junction diode works as a insulator, if connected

(a) To A.C.                              (b) In forward bias
(c) In reverse bias                   (d) None of these

PN-संधि डायोड अचालक के रूप में कार्य करता है, यदि यह निम्नलिखित से जुड़ा हुआ होता है:

(a) प्रत्यावर्ती धारा                   (b) अग्र अभिनत में
(c) उत्क्रम अभिनत में               (d) इनमें से कोई नहीं

When forward bias is applied to a P-N junction, then what happens to the potential barrier $V_{\mathit{B}}$, and the width of charge depleted region x

(a) $V_{\mathit{B}}$ increases, x decreases

(b) $V_{\mathit{B}}$ decreases, x increases

(c) $V_{\mathit{B}}$ increases, x increases

(d) $V_{\mathit{B}}$ decreases, x decreases

जब P-N संधि में अग्र अभिनत आरोपित किया जाता है, तब विभव प्राचीर $V_{\mathit{B}}$, और आवेशित अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई x किस प्रकार प्रभावित होती है?

(a) $V_{\mathit{B}}$ बढ़ता है, x घटती है।

(b) $V_{\mathit{B}}$ घटता है, x बढ़ती है।

(c) $V_{\mathit{B}}$ बढ़ता है, x बढ़ती है।

(d) $V_{\mathit{B}}$ घटता है , x घटती है। 

If $\mathrm{\alpha }$ = 0.98 and current through emitter ${\mathrm{i}}_{\mathrm{e}}$ = 20 mA, the value of $\mathrm{\beta }$ is 
(a) 4.9                  (b) 49
(c) 96                   (d) 9.6

यदि $\mathrm{\alpha }$= 0.98 और उत्सर्जक में धारा ${\mathrm{i}}_{\mathrm{e}}$= 20 mA है, $\mathrm{\beta }$ का मान ज्ञात कीजिए:
(a) 4.9                        (b) 49
(c) 96                         (d) 9.6