On increasing the reverse bias to a large value in a PN-junction diode, current

(a) Increases slowly                  (b) Remains fixed
(c) Suddenly increases              (d) Decreases slowly

PN-संधि डायोड में उत्क्रम अभिनत  को बड़े मान तक बढ़ाने पर, धारा:

(a) धीरे-धीरे बढ़ती है।                       (b) स्थिर रहती है।
(c) अचानक बढ़ती है।                        (d) धीरे-धीरे घटती है।

A p-n photodiode is fabricated from a semiconductor with a band gap of $2.5<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{eV}.$ It can detect a signal of wavelength 

(a) $6000<mspace\; width="1em"></mspace>\stackrel{\circ }{\mathrm{A}}$                                    (b) $4000<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{nm}$

(c) $6000<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{nm}$                                  (d) $4000<mspace\; width="1em"></mspace>\stackrel{\circ }{\mathrm{A}}$

एक p-n फोटोडायोड को $2.5<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{eV}$ बैंड अंतराल के अर्धचालक से निर्मित किया जाता है। यह कितनी तरंगदैर्ध्य के संकेत को संसूचित कर सकता है?

(a) $6000<mspace\; width="1em"></mspace>\stackrel{\circ }{\mathrm{A}}$                     (b) $4000<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{nm}$

(c) $6000<mspace\; width="1em"></mspace>\mathrm{nm}$                   (d) $4000<mspace\; width="1em"></mspace>\stackrel{\circ }{\mathrm{A}}$

This symbol represents 

(1) NAND gate

(2) OR gate

(3) AND gate

(4) NOR gate

यह प्रतीक किसको दर्शाता है?

(a) NAND गेट
(b) OR गेट
(c) AND गेट
(d) NOR गेट

A logic gate is an electronic circuit which 

(1) Makes logic decisions

(2) Allows electrons flow only in one direction

(3) Works binary algebra

(4) Alternates between 0 and 1 values

लॉजिक गेट इलेक्ट्रॉनिक परिपथ है, जो:

(a) लॉजिक निर्णय लेता है।

(b) इलेक्ट्रॉनों को केवल एक दिशा में प्रवाहित करने की अनुमति देता है।

(c) बाइनरी बीजगणित पर कार्य करता है।

(d) 0 और 1 मानों के बीच एकांतर 

Which is the correct relation for the forbidden energy gap in the conductor, semiconductor, and insulator

(a) $∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{c}}<∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{insulator}}<∆{\mathrm{Eg}}_{sc}$
(b) $∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{c}}<∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{sc}}<∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{insulator}}$
(c) $∆∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{sc}}<∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{insulator}}<{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{c}}$
(d) $∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{sc}}<∆Ec<∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{insulator}}$

चालक, अर्धचालक और चालक में वर्जित ऊर्जा अंतराल के लिए सही संबंध कौन-सा है?

(a) $∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{c}}<∆{\mathrm{Eg}}_{\text{\hspace{0.17em}\hspace{0.17em}विद्युतरोधी}}<mspace\; width="1em"></mspace><∆{\mathrm{Eg}}_{sc}$
(b) $∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{c}}<∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{sc}}<∆{\mathrm{Eg}}_{<mspace\; width="1em"></mspace><mspace\; width="1em"></mspace>\text{विद्युतरोधी}<mspace\; width="1em"></mspace>}$
(c) $∆∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{sc}}<∆{\mathrm{Eg}}_{\text{\hspace{0.17em}\hspace{0.17em}विद्युतरोधी\hspace{0.17em}\hspace{0.17em}}}<{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{c}}$
(d) $∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{sc}}<∆Ec<∆{\mathrm{Eg}}_{<mspace\; width="1em"></mspace><mspace\; width="1em"></mspace>\text{विद्युतरोधी}}$

In good conductors of electricity, the type of bonding that exists is 

(1) Ionic

(2) Vander Waals

(3) Covalent

(4) Metallic

विद्युत के अच्छे चालक में, किस प्रकार का सम्बन्ध उपस्थित होता है?

(1) आयनिक

(2) वान्डर वाल्स

(3) सहसंयोजक

(4) धात्विक

The Boolean equation of NOR gate is 

(1) C = A + B

(2) $\mathrm{C}=\overline{\mathrm{A}+\mathrm{B}}$ 

(3) $C=A·B$ 

(4) $\mathrm{C}=\overline{\mathrm{A}.\mathrm{B}}$

NOR गेट का बूलियन समीकरण ज्ञात कीजिए:

(1) C = A + B

(2) $\mathrm{C}=\overline{\mathrm{A}+\mathrm{B}}$ 

(3) $C=A·B$

(4) $\mathrm{C}=\overline{\mathrm{A}.\mathrm{B}}$

A transistor is used as an amplifier in CB mode with a load resistance of 5 k$\mathrm{\Omega }$. The current gain of the amplifier is 0.98 and the input resistance is 70 $\mathrm{\Omega }$, the voltage gain and power gain respectively are :
(a) 70, 68.6                          (b) 80, 75.6
(c) 60, 66.6                          (d) 90, 96.6

5 k$\Omega$ के प्रतिरोध के साथ एक ट्रांजिस्टर CB विन्यास में प्रवर्धक के रूप में उपयोग किया जाता है। प्रवर्धक का धारा लाभ 0.98 है और निवेशी प्रतिरोध 70$\mathrm{\Omega }$ है, वोल्टेज लाभ और शक्ति लाभ क्रमशः हैं:
(a) 70, 68.6                (b) 80, 75.6
(c) 60, 66.6                 (d) 90, 96.6

For a transistor, in a common emitter arrangement, the alternating current gain $\mathrm{\beta }$ is given by

(a) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}}{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{B}}}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$                       (b) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_B}{∆{\mathrm{I}}_C}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$

(c) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}}{∆{\mathrm{I}}_E}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$                       (d) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_E}{∆{\mathrm{I}}_C}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$

ट्रांजिस्टर के लिए, उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में, प्रत्यावर्ती धारा लाभ $\mathrm{\beta }$ को किसके द्वारा दर्शाया जाता है?

(a) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}}{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{B}}}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$             (b) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_B}{∆{\mathrm{I}}_C}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$

(c) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}}{∆{\mathrm{I}}_E}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$             (d) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_E}{∆{\mathrm{I}}_C}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$

In the case of forward biasing of PN-junction, which one of the following figures correctly depicts the direction of flow of carriers

PN-संधि के अग्र अभिनत स्थिति में, निम्न में से कौन-सा एक आवेश वाहकों के प्रवाह की दिशा को उपयुक्त रूप से दर्शाता है?