A transistor is operated in common-emitter configuration at $V_c=2volt$ such that a change in the base current from 100 $\mu A$ to 200 $\mu A$ produces a change in the collector current from 5 mA to 10 mA. The current gain is 

1. 75                                2. 100

3. 150                              4. 50

एक ट्रांजिस्टर $V_c=2volt$ पर सामान्य-उत्सर्जक विन्यास में इस प्रकार संचालित होता है कि आधार धारा में 100 $\mu \mathrm{A\; से}$ 200 $\mu A$का परिवर्तन संग्राहक धारा में 5 mA से 10 mA तक परिवर्तन उत्पन्न करता है। धारा लाभ है:

1. 75                                 2. 100

3. 150                               4. 50

Which one of the following statement is false?

(a) Pure Si doped with trivalent impurities gives a p-type semiconductor 

(b) Majority carries in a n-type semiconductor are holes

(c) Minority carries in a p-type semiconductor are electrons

(d) The resistance of intrinsic semiconductor decreases with increase of temperature 

निम्नलिखित में से कौन सा कथन गलत है?

(a) त्रिसंयोजी अपद्रव्यों के साथ अपमिश्रित शुद्ध सिलिकॉन p-प्रकार का अर्धचालक बनाता है।

(b) n-प्रकार अर्धचालक में बहुसंख्यक वाहक कोटर होते हैं।

(c) p-प्रकार अर्धचालक में अल्पसंख्यक वाहक इलेक्ट्रॉन होते हैं।

(d) आंतरिक अर्धचालक का प्रतिरोध तापमान बढ़ने के साथ घटता जाता है।

An NPN-transistor circuit is arranged as shown in figure. It is
 

(a) A common base amplifier circuit
(b) A common emitter amplifier circuit
(c) A common collector amplifier circuit
(d) Neither of the above

जैसा कि चित्र में दिखाया गया है एक NPN-ट्रांजिस्टर परिपथ व्यवस्थित किया गया है। यह है:
 

(a) एक सामान्य आधार प्रवर्धक परिपथ
(b) एक सामान्य उत्सर्जक प्रवर्धक परिपथ
(c) एक सामान्य संग्राहक प्रवर्धक परिपथ
(d) उपरोक्त में से कोई नहीं

Zener breakdown takes place if 

(a) Doped impurity is low             (b) Doped impurity is high
(c) Less impurity in N-part           (d) Less impurity in P-type

ज़ेनर भंजन होता है, यदि -

(a) अपमिश्रित अपद्रव्य निम्न है             (b) अपमिश्रित अपद्रव्य उच्च है।                                         

(c) N-भाग में निम्न अपद्रव्य                (d) P- प्रकार में निम्न अपद्रव्य 

The temperature (T) dependence of resistivity ($\rho$) of a semiconductor is represented by

1. 

2. 

3. 

4. 

एक अर्धचालक की प्रतिरोधकता ($\rho$) की तापमान (T) निर्भरता का निरूपण किसके द्वारा किया जाता है?

Which of the following is correct for n-type semiconductor?

1.  Electron is majority carriers and trivalent atoms are dopants.

2.  Electrons are majority carriers and pentavalent atoms are dopants.

3.  Holes are majority carriers and pentavalent atoms are dopants.

4.  Holes are majority carriers and trivalent atoms are dopants.

निम्नलिखित में से कौन-सा n-प्रकार अर्धचालक के लिए सही है?

1. इलेक्ट्रॉन बहुसंख्य वाहक होते हैं और त्रिसंयोजक परमाणु अपमिश्रक होते हैं।

2. इलेक्ट्रॉन बहुसंख्य वाहक होते हैं और पंचसंयोजक परमाणु अपमिश्रक होते हैं।

3. कोटर बहुसंख्य वाहक होते हैं और पंचसंयोजक परमाणु अपमिश्रक होते हैं।

4. कोटर बहुसंख्य वाहक होते हैं और त्रिसंयोजक परमाणु अपमिश्रक होते हैं।

The conductivity of an n-type semiconductor whose density of conduction electrons is ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$, Density of holes is ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$, Mobility of conduction electrons is ${\mathrm{m}}_{\mathrm{e}}$and Mobility of holes is ${\mathrm{m}}_{\mathrm{h}},$ will be

1.  $\mathrm{e}\left[{\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}{\mathrm{m}}_{\mathrm{h}} + {\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}{\mathrm{m}}_{\mathrm{e}}\right]$

2.  $\mathrm{e}\left[{\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}{\mathrm{m}}_{\mathrm{e}} + {\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}{\mathrm{m}}_{\mathrm{e}}\right]$

3.  ${\mathrm{en}}_{\mathrm{e}}\left[{\mathrm{m}}_{\mathrm{e}} + {\mathrm{m}}_{\mathrm{h}}\right]$

4.  $\mathrm{e}\left[{\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}{\mathrm{m}}_{\mathrm{e}} + {\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}{\mathrm{m}}_{\mathrm{h}}\right]$

ऐसे n-प्रकार के अर्धचालक की चालकता क्या होगी, जिसका चालन इलेक्ट्रॉनों का घनत्व ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ है, कोटरों का घनत्व ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$ है, चालन इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता ${\mathrm{m}}_{\mathrm{e}}$ है और कोटरों की गतिशीलता ${\mathrm{m}}_{\mathrm{h}}$ है?

1.  $\mathrm{e}\left[{\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}{\mathrm{m}}_{\mathrm{h}} + {\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}{\mathrm{m}}_{\mathrm{e}}\right]$

2.  $\mathrm{e}\left[{\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}{\mathrm{m}}_{\mathrm{e}} + {\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}{\mathrm{m}}_{\mathrm{e}}\right]$

3.  ${\mathrm{en}}_{\mathrm{e}}\left[{\mathrm{m}}_{\mathrm{e}} + {\mathrm{m}}_{\mathrm{h}}\right]$

4.  $\mathrm{e}\left[{\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}{\mathrm{m}}_{\mathrm{e}} + {\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}{\mathrm{m}}_{\mathrm{h}}\right]$

The input resistance of a silicon transistor is

100 $\mathrm{\Omega }$. Base current is changed by 40 $\mathrm{\mu A}$

which results in a change in collector current

by 2 mA. This transistor is used as a common-

emitter amplifier with a load resistance of 4 k$\mathrm{\Omega }$.

The voltage gain of the amplifier is

1. 2000

2. 3000

3. 4000

4. 1000

एक सिलिकॉन ट्रांजिस्टर का निवेशी प्रतिरोध 100$\mathrm{\Omega }$ है। आधार धारा 40$\mathrm{\mu A}$ से परिवर्तित होती है, जिसके परिणामस्वरूप संग्राहक धारा 2mA से परिवर्तित होती है। इस ट्रांजिस्टर का उपयोग 4k$\mathrm{\Omega }$ के लोड प्रतिरोध के साथ उभयनिष्ठ उत्सर्जक प्रवर्धक के रूप में किया जाता है। प्रवर्धक के वोल्टेज लाभ की गणना कीजिए:

1. 2000

2. 3000

3. 4000

4. 1000

Consider an NPN transistor amplifier in the common-emitter configuration. The current gain of the transistor is 100. If the collector current changes by 1 mA, what will be the change in emitter current?
(a) 1.1 mA                     (b) 1.01 mA
(c) 0.01 mA                    (d) 10 mA

उभयनिष्ठ-उत्सर्जक विन्यास में NPN ट्रांजिस्टर प्रवर्धक पर विचार कीजिए। ट्रांजिस्टर का धारा लाभ 100 है। यदि संग्राहक धारा 1 ma से परिवर्तित होती है, तब उत्सर्जक धारा में कितना परिवर्तन होगा?
(a) 1.1 mA              (b) 1.01 mA
(c) 0.01 mA            (d) 10 mA

Three ideal diodes are connected to the battery as shown in the circuit. The current supplied by the battery is

1.  Zero

2.  4A

3.  2A

4.  6A

तीन आदर्श डायोड बैटरी से जोड़े जाते हैं जैसा कि परिपथ में दर्शाया गया है। बैटरी द्वारा आपूर्ति की जाने वाली धारा है:

1. शून्य

2.  4A

3.  2A

4.  6A